| 分辨率 | 3/5mm InGaAsPIN 铟镓砷光电探测器 |
|---|---|
| 灵敏度 | 5mm InGaAsPIN 铟镓砷光电探测器 |
| 漂移 | InGaAsPIN |
| 输出信号 | 模拟型 |
| 线性度 | InGaAsPIN 铟镓砷光电探测器 |
| 制作工艺 | 陶瓷 |
| 重复性 | 3/5mm InGaAsPIN |
| 迟滞 | 5mm InGaAsPIN 铟镓砷光电探测器 |
| 品牌 | mezen |
| 型号 | 铟镓砷光电探测器 |
3/5mm InGaAsPIN 铟镓砷光电探测器
通过对InGaAs材料的光谱响应特性分析，以及对InGaAs材料的一系列优点了解，表明了InGaAs是一种在短波红外领域极有前景的探测器材料。如今，国外高性能、大面阵的InGaAs焦平面阵列技术获得比较成熟的发展，已在科学、军事、民用等方面的微光夜视**制导、空间遥感、近红外光谱分析、工业控制、生物医疗和航天航空等领域获得广泛的应用；而在国内，InGaAs焦平面阵列的研究起步较晚，能够成功工程化应用的产品还很少。因此，加快InGaAs短波红外探测器的研制，特别是近室温InGaAs短波红外焦平面探测器的研制和开发，对我国的红外事业而言具有非常重要的战略意义。
（1）各模块应以同一方式处理，作为普通半导体器件防止静电损坏，对安全性和携带性，各模块应采用防静电材料，在印刷电路板上组装模块工作台，焊接铁和人体应接地。（2）请特别注意大气状况，因为该露水在模块可能会导致一些电气损坏。（3）在汽车、性能及不保证可靠性。