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属类金刚石氮化物，高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。 热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； 热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； 各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良； 机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结； 纯度高； )光传输特性好； 无毒； 可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。
